一、产品概述
4210-CVU 是4200A-SCS 半导体参数分析仪专用内置插卡式多频 C-V 测试模块，无法独立上电运行。模块输出交流小信号叠加直流偏置，实现电容 - 电压、电容 - 频率、电容 - 时间测试，用来提取 MOS 栅氧厚度、掺杂浓度、介电常数等半导体关键参数，常搭配 SMU 模块实现 I-V+C-V 一体化器件表征。升级高配型号为 4215-CVU。
二、核心技术参数
✅ 模块规格
测试频率：1 kHz ~ 10 MHz（37 个离散频点）
交流驱动信号：10 mV ~ 100 mV（RMS）
内置直流偏置：±30 V（差分最高 60V）
电容测量量程：fF ~ μF 级别，最低分辨 1 fF
测量模式：C-V、C-f、C-t、交流阻抗测试
支持最大 4096 点扫描数据采集
四端 Kelvin 测量接口：HCUR、HPOT、LCUR、LPOT
三、关键特性
交流阻抗测量架构，叠加直流偏置，适配 MOS 电容、介质薄膜标准 C-V 测试；
内置开路、短路、负载寄生参数补偿，消除探针、线缆寄生电容干扰；
Clarius + 软件原生适配，内置 MOSCAP 标准测试模板，自动提取 TOX、掺杂浓度等参数；
可搭配 4200A-CVIV 切换模块，实现同一条探针通路自动切换 I-V 测试与 C-V 测试，无需手动换线；
多模块同步触发，一台 4200A-SCS 机箱可同时搭载多路 CVU 模块；
集成保护电路，防止待测器件遭受过压损伤；
标准 SMA 接口，配套专用高频 C-V 测试线缆。
四、典型应用场景
MOSFET、MOS 电容栅介质 C-V 特性测试，提取栅氧厚度、平带电压、掺杂分布
高 k 介质、薄膜绝缘材料介电特性、频散效应表征
光电二极管、OLED 器件电容特性测试
宽禁带 SiC/GaN 器件结电容、反向 C-V 测试
晶圆探针台器件建模、半导体工艺研发、可靠性实验
