主要特性与技术指标
直流和时间相关测量可让您对电流-电压（IV）测量结果充满信心
4 象限电源和测量功能可让您在低至 fA（毫微微安培）的范围内进行精确的电流-电压（IV）表征
测量范围是 0.1 fA - 1 A / 0.5 μV - 200 V
提供点测量、扫描测量、脉冲和采样测量功能
采样测量间隔为 100 微秒
脉宽最小值为 500 μs，使用 2 μs 分辨率
准静态电容-电压（QS-CV）测量，具有泄露电流补偿
描述
在低至次 fA / μV 分辨率上执行低电流/电压测量，实现的直流测量性能
电源/测量单元（SMU）是 Keysight B1500A 半导体器件分析仪的关键测量模块。SMU 集成了电压/电流源和测量功能，可在低至 fA / μV 分辨率上执行精确的直流电流-电压（IV）测量。选件 ASU（自动传感和开关单元）可将低电流测量性能向下扩展至次 fA 范围，为您提供更高的测量性能。
SMU 还可执行准静态电容-电压（QS-CV）测量。它不仅拥有低频 CV 特征，同时还是表征栅极晶体管的表面态以及高频 CV 的重要测量方法。Keysight B1500A 支持精确的 QS-CV 测量和泄露电流补偿。
对于要求进行精密电压/电流测量的半导体、纳米器件（例如碳纳米管（CNT）和碳纳米线（CNW））、有源/无源元件、材料以及任意电气器件，SMU结合使用 EasyEXPERT 软件的分析和数据管理能力，非常适合对这些器件进行表征。
