一、产品概述
4201-SMU 是配套4200A-SCS 半导体参数分析仪专用插件式中等功率 SMU 模块，属于增强抗容性负载版本。相比标准版 4200-SMU，极大提升高电容负载下微弱电流测量稳定性，适配长三轴电缆、探针台、开关矩阵、大尺寸面板等高寄生电容测试场景，支持直流 I-V、准静态 C-V 测试，可搭配 4200-PA 远端前置放大器实现 aA 级超灵敏测量。
二、核心技术参数
✅ 模块规格
电压范围：±210 V
电流范围：±105 mA
直流最大功率：22 W
基础测量分辨率：电压 0.2 μV；电流 100 fA
选配 4200-PA 前置放大器：最低测量电流 10 aA
四象限源 / 负载双向工作
支持 2 线 / 4 线开尔文（Kelvin）测量，迷你三轴输出接口
【核心优势】高容载耐受能力
1pA~100pA 量程：最高承受 1 μF 负载电容（普通 4200-SMU 仅 1nF）
100nA~10mA 量程：最高 10 μF 负载电容
三、关键特性
增强型容性负载补偿，解决长线缆、探针卡、夹具带来的振荡、读数噪声问题；
支持现场加装版本 4201-SMU-R，无需返厂即可扩容 4200A-SCS 通道；
可执行直流 I-V 扫描、应力 - 测量循环、准静态 C-V（QSCV）测试；
多模块同步触发，机箱内最多搭载 9 片 SMU 模块；
由 Clarius + 软件统一控制，内置器件标准测试模板；
完备可编程保护：过压、过流、静电、过载保护；
兼容 4200 系列所有配套线缆、探针台接口方案。
四、典型应用场景
LCD/OLED 显示面板 TFT 阵列电学测试
二维材料、有机半导体高阻薄膜漏电测试
MOSFET、存储器件（RRAM/FeRAM）晶圆探针台测试
光电探测器、传感器微弱漏电流精密表征
长电缆、多通道开关矩阵搭建的自动化测试系统
高校前沿材料、半导体器件可靠性研发实验
