一、产品概述
是德科技 **B1520A（MFCMU）多频电容测量单元，插卡式模块，停产**；专为 B1500A 半导体参数分析仪配套的高精度交流电容‑阻抗测试模块，实现宽频 CV、C‑f、C‑t 测试，无需外接独立 LCR 表，完成 MOS、介质材料多频率电容表征。
二、核心技术参数
1. 交流测试频率范围：**1 kHz‑5 MHz**，频率分辨率 1 mHz
2. 交流信号电平：0‑250 mVrms 可调
3. 内置直流偏置电压：±25 V；搭配 SCUU 配件可扩展至 ±100 V
4. 电容测量分辨率：**0.01 fF**，测量精度 ±0.5%~±1%
5. 可测参数：Cp‑G/D/Q/Rs、Cs‑Rs/D/Q、Z‑θ、Y‑θ 等阻抗全套参数
6. 最大扫描点数：1001 点
7. 占用主机插槽：**1 个插槽位置**
8. IV/CV 切换：配合 N1301A‑100（SCUU），无需重新接线即可自动切换 IV 与 CV 测量
9. 系统兼容：B1500A 半导体器件分析仪主机
10. 配套软件：EasyEXPERT 测试软件
三、关键特性
1. 多频交流电容测试，区分器件低频、高频电学特性，适合栅介质、薄膜材料研究
2. 超高 fF 级微弱电容检测能力，适合超薄氧化层、微小器件测试
3. 集成于 B1500A 平台，同一套系统可同时完成 IV 直流测试 + CV 电容测试
4. 可进行长时间 C‑t 时序漂移、电荷俘获可靠性测试
5. 单槽模块，插槽占用少，机箱剩余插槽可自由搭配 SMU 源测量单元
四、典型应用
MOSFET、CMOS 器件电容‑电压（CV）曲线、氧化层厚度、掺杂剖面分析；介质薄膜、铁电材料、光电元器件多频阻抗表征；半导体器件 NBTI、TDDB 可靠性时序测试；高校微电子、宽禁带材料科研实验是德科技。
